參數(shù)資料
型號: ZXMN6A09DN8
廠商: Zetex Semiconductor
英文描述: DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述: 雙60V的N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù): 3/8頁
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代理商: ZXMN6A09DN8
PROVISIONAL ISSUE D - AUGUST 2001
ZXMN6A09DN8
3
100m
1
10
100
10m
100m
1
10
Single Pulse
T
=25C
One active die
R
Limit
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
Safe Operating Area
I
D
V
DS
Drain-Source Voltage (V)
0
20
40
Temperature (C)
60
80
100
120
140
160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Two active die
One active die
Derating Curve
0
1m
10m 100m
Pulse Width (s)
1
10
100
1k
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
T
=25C
One active die
Transient Thermal Impedance
D=0.5
D=0.2
D=0.1
Single Pulse
D=0.05
T
100μ
1m
10m 100m
Pulse Width (s)
1
10
100
1k
1
10
100
Single Pulse
T
=25C
One active die
Pulse Power Dissipation
THERMAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
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ZXMN6A09DN8TC 功能描述:MOSFET 60V N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube