參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN3A04K
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
中文描述： 30V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET采用DPAK
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 146K
代理商： ZXMN3A04K
ZXMN3A04K
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 1 - FEBRUARY 2004
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN3A14F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A14FTA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A14FTC 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3B04N8 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
ZXMN3B04N8TA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN3A04KTC 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN3A05N8TA 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXMN3A06DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A06DN8_02 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A06DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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