參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN2A04DN8
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 雙20V的N溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： ZXMN2A04DN8
PROVISIONAL ISSUE A - AUGUST 2001
ZXMN2A04DN8
PACKAGE DIMENSIONS
4
Zetex plc.
Fields New Road, Chadderton, Oldham, OL9-8NP, United Kingdom.
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D-81673 München
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Fax: (49) 89 45 49 49 49
www.zetex.com
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DIM
Millimetres
Inches
Min
Max
Min
Max
A
4.80
4.98
0.189
0.196
B
1.27 BSC
0.05 BSC
C
0.53 REF
0.02 REF
D
0.36
0.46
0.014
0.018
E
3.81
3.99
0.15
0.157
F
1.35
1.75
0.05
0.07
G
0.10
0.25
0.004
0.010
J
5.80
6.20
0.23
0.24
K
0°
8°
0°
8°
L
0.41
1.27
0.016
0.050
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN2A04DN8TA DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A04DN8TC DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A14F 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A14FTA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A14FTC 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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參數(shù)描述
ZXMN2A04DN8_04 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A04DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 20V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN2A04DN8TC 功能描述:MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN2A05N8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXMN2A14F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23
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