參數(shù)資料
型號： ZXMN2A04DN8
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 雙20V的N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： ZXMN2A04DN8
PROVISIONAL ISSUE A - AUGUST 2001
ZXMN2A04DN8
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS S
V
GS
I
D
20
V
Gate Source Voltage
12
V
Continuous Drain Current (V
GS
=10V; T
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
=10V; T
A
=70°C)(b)(d)
(V
GS
=10V; T
A
=25°C)(a)(d)
6.8
5.4
5.2
A
Pulsed Drain Current (c)
I
DM
I
S
I
S M
P
D
23
A
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
12
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
23
A
Power Dissipation at T
A
=25°C (a)(d)
Linear Derating Factor
1.25
10
W
mW/°C
Power Dissipation at T
A
=25°C (a)(e)
Linear Derating Factor
P
D
1.8
14
W
mW/°C
Power Dissipation at T
A
=25°C (b)(d)
Linear Derating Factor
P
D
2.1
17
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
J unction to Ambient (a)(d)
R
θ
J A
100
°C/W
J unction to Ambient (a)(e)
R
θ
J A
70
°C/W
J unction to Ambient (b)(d)
R
θ
J A
60
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,
in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.05 pulse width=10μs - pulse width limited by maximum
junction temperature. Refer to Transcient Thermal Inpedance graph.
(d) For device with one active die
(e) For device with two active die running at equal power.
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PDF描述
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ZXMN2A14FTA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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