參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN10A11GFTC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 1300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 1173K
代理商： ZXMN10A11GFTC
ZXMN10A11G
ISSUE 1 - MARCH 2002
2
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-Source Voltage
VDSS
VGS
ID
100
V
Gate-Source Voltage
20
V
Continuous Drain Current VGS=10V; TA=25°C(b)
VGS=10V; TA=70°C(b)
VGS=10V; TA=25°C(a)
1.8
1.4
1.3
A
Pulsed Drain Current (c)
IDM
IS
ISM
PD
5.8
A
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
4.6
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
5.8
A
Power Dissipation at TA=25°C (a)
Linear Derating Factor
2
16
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C (b)
Linear Derating Factor
PD
3.9
31
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Ambient (a)
R
θ
JA
62.5
°C/W
Junction to Ambient (b)
R
θ
JA
32
°C/W
THERMAL RESISTANCE
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FRA PCB, D=0.05 pulse width = 10 s - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ZXMN10A11GTC 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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ZXMN10A25G 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET
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