| 型號: | ZXMN10B08E6 | 
| 廠商: | Zetex Semiconductor | 
| 英文描述: | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| 中文描述: | 100V的N溝道增強型MOS管 | 
| 文件頁數(shù): | 1/7頁 | 
| 文件大?。?/td> | 252K | 
| 代理商: | ZXMN10B08E6 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| ZXMN10B08E6TA | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMN10B08E6TC | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMN2A01E6 | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMN2A01E6TA | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMN2A01E6TC | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| ZXMN10B08E6_05 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMN10B08E6TA | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| ZXMN10B08E6TC | 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| ZXMN15A27K | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFETs optimised for Voice over Internet Protocol (VoIP) | 
| ZXMN15A27KTC | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |