| 型號: | ZXMD63P03XTC | 
| 廠商: | ZETEX PLC | 
| 元件分類: | 小信號晶體管 | 
| 英文描述: | DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| 中文描述: | 2000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-187AA | 
| 封裝: | MSOP-8 | 
| 文件頁數(shù): | 7/7頁 | 
| 文件大?。?/td> | 210K | 
| 代理商: | ZXMD63P03XTC | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| ZXMHC3A01T8 | TWEEZER THERMAL | 
| ZXMHC3A01T8TA | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE | 
| ZXMHC3A01T8TC | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE | 
| ZXMHC6A07T8TA | COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE | 
| ZXMHC6A07T8TC | COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| ZXMD65N02N8TA | 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR | 
| ZXMD65N03N8 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMD65N03N8TA | 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR | 
| ZXMD65P02N8 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMD65P02N8_04 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |