參數(shù)資料
型號： ZXMHC6A07T8TA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： JFETs
英文描述： COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
中文描述： 1.8 A, 60 V, 0.3 ohm, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SM8, 8 PIN
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： ZXMHC6A07T8TA
S E M IC O N D U C T O R S
SUMMARY
N-Channel V
(BR)DSS
= 60V; R
DS(ON)
= 0.300 ; I
D
= 1.8A
P-Channel V
(BR)DSS
= -60V; R
DS(ON)
= 0.425 ; I
D
= -1.5A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
Low On - Resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
SM8 package
APPLICATIONS
Motor drive
DEVICE MARKING
ZXMH
C6A07
ZXMHC6A07T8
ISSUE 1 - J ULY 2004
1
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
DEV ICE
REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY
PER REEL
ZX MHC6A07T8TA
7
’‘
12mm
1000 units
ZX MHC6A07T8TC
13’‘
12mm
4000 units
ORDERING INFORMATION
G
2
D ,
1
D
2
D ,
3
D
4
G
3
S
2
S
3
S
1
S
4
G
1
G
4
PINOUT DIAGRAM
SM8
Top View
相關PDF資料
PDF描述
ZXMHC6A07T8TC COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC6A07T8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMN10A07F 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A07FTA 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A07FTC 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMHC6A07T8TC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHN6A07T8 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGE
ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMHN6A07T8TC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGE
ZXMN0545FFTA 功能描述:MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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