參數(shù)資料
型號: ZXMD63P03XTA
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述: 2000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-187AA
封裝: MSOP-8
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大小: 210K
代理商: ZXMD63P03XTA
0.1
10
100
2
4
6
0.1
1
10
0.2
1.4
200
50
-100
0.1
100
-V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.1
10
100
-
D
-VGS
5V
4.5V
4V
10V
VDS=-10V
-
D
10
1
0.1
-V
GS
- Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
R
D
-
)
10
1
0.1
-I
D
- Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
-
D
100
-VGS
5V
4.5V
4V
3.5V
0.1
-V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
N
D
G
2
1
0
T
j
- Junction Temperature (°C)
Normalised R
DS(on)
and V
GS(th)
v Temperature
-
S
10
0.1
0.01
-V
SD
- Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
T=150°C
T=25°C
+150°C
T=150°C
VGS=-10V
ID=-1.2A
T=25°C
RDS(on)
VGS=VDS
ID=-250uA
VGS(th)
3.5V
3V
2.5V
8V
6V
7V
1
1
1
10
10V 8V 7V 6V
3V
2.5V
10
1
+25° C
1.5
0.5
150
0
100
-50
3.5
5.5
2.5
3
4.5
5
VGS=-3V
VGS=-4.5V
VGS=-10V
0.4
1.0
0.8
1.2
0.6
1
TYPICAL CHARACTERISTICS
53
ZXMD63P03X
PROVISIONAL ISSUE A - JULY 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMD63P03XTC DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMHC3A01T8 TWEEZER THERMAL
ZXMHC3A01T8TA COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3A01T8TC COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC6A07T8TA COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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ZXMD65N02N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
ZXMD65N03N8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD65N03N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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