參數(shù)資料
型號(hào)： ZXM64P035L3(1)
廠商： Zetex Semiconductor
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： ZXM64P035L3(1)
ZXM64P035L3
PROVISIONAL ISSUE A - JANUARY 2002
2
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DSS
V
GS
I
D
-35
V
Gate-Source Voltage
20
V
Continuous Drain Current (V
GS
= -10V; T
C
=25°C)(a)
(V
GS
= -10V; T
A
=25°C)(b)
-12
-3.3
A
Pulsed Drain Current (b)
I
DM
I
S
I
SM
P
D
-19
A
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
-2.3
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(b)
-19
A
Power Dissipation at T
A
=25°C (a)
Linear Derating Factor
20
160
W
mW/°C
Power Dissipation at T
A
=25°C (b)
Linear Derating Factor
P
D
1.5
12
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Case (a)
R
θ
JC
6.25
°C/W
Junction to Ambient (b)
R
θ
JA
83.3
°C/W
THERMAL RESISTANCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXM66P02N8 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM66P02N8TA 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM66P02N8TC 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM66P03N8(1)
ZXM66P03N8TA 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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參數(shù)描述
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ZXM64P03XTC 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXM66N02N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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