參數(shù)資料
型號(hào)： ZXM64P035L3(1)
廠商： Zetex Semiconductor
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： ZXM64P035L3(1)
SUMMARY
V(BR)DSS= -35V: RDS(on)= 0.075 : ID= -12A
DESCRIPTION
This new generation of high cell density planar MOSFETs from Zetex utilises a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
TO220 package
APPLICATIONS
100W Class D Audio Output Stage
Motor Control
DEVICE MARKING
ZXM6
4P035
ZXM64P035L3
PROVISIONAL ISSUE A - JANUARY 2002
1
35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DEVICE
MULTIPLES
ZXM64P035L3
1000
ORDERING INFORMATION
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXM66P02N8 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM66P02N8TA 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM66P02N8TC 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM66P03N8(1)
ZXM66P03N8TA 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXM64P03X 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P MSOP-8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, MSOP-8 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, P, MSOP-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:3. 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 30V, -3.8mA, MSOP, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-3.8mA, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):75mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:-1V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, MSOP-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:3.
ZXM64P03X_05 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM64P03XTA 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXM64P03XTC 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXM66N02N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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