參數(shù)資料
型號： ZX5T849G
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
中文描述： 30V的npn型中功率低飽和晶體管采用SOT223
文件頁數(shù)： 1/6頁
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代理商： ZX5T849G
1
S E M IC O N D U C T O R S
SUMMARY
BV
CEO
= 30V : R
SAT
= 28m ; I
C
= 7A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 30V
NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in
DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
Extemely low equivalent on-resistance;
R
SAT
= 28m
7 amps continuous current
at 6.5A
Up to 20 amps peak current
Very low saturation voltages
Excellent h
FE
characteristics up to 20 amps
APPLICATIONS
DC - DC converters
MOSFET gate drivers
Charging circuits
Power switches
Motor control
DEVICE MARKING
X5T849
ZX5T849G
ISSUE 1 - NOVEMBER 2003
30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
DEV ICE
REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY PER
REEL
ZX 5T849GTA
ZX 5T849GTC
7”
13"
12mm
embossed
1000 units
4000 units
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SOT223
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZX5T849GTA 30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T849GTC 30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T849Z 30V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZX5T849ZTA 30V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZX5T851A 60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZX5T849GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZX5T849GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZX5T849Z 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:30V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZX5T849ZTA 功能描述:TRANSISTOR 6A 30V SOT-89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
ZX5T851A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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