型號(hào): | ZX5T849Z |
廠商: | Zetex Semiconductor |
英文描述: | 30V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
中文描述: | 30V的npn型低飽和中功率晶體管SOT89 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 119K |
代理商: | ZX5T849Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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ZX5T849ZTA | 30V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
ZX5T851A | 60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE |
ZX5T851ASTOA | 60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE |
ZX5T851ASTZ | 60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE |
ZX5T851G | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3126; No. of Contacts:16; Connector Shell Size:20; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug RoHS Compliant: No |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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ZX5T849ZTA | 功能描述:TRANSISTOR 6A 30V SOT-89 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
ZX5T851A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZX5T851ASTOA | 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE |
ZX5T851ASTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 4.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZX5T851G | 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |