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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZVN4306G |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| 中文描述： | 2.1 A, 60 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | ZVN4306G |
3 - 412
ZVN4306G
TYPICAL CHARACTERISTICS
Saturation Characteristics
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D
-
Normalised R
DS(on)
and V
GS(th)
v Temperature
T
j
-Junction Temperature (°C)
N
D
G
-50 -25
0
25 50
75 100
150
125
175 200
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
DranSourceResstanceR
DS(on
Gate Threshold Voltage V
GS(TH)
I
D=
3A
V
GS=
10V
I
D=
1mA
V
GS=
V
DS
2.6
225
0
4
3
1
2
7
6
5
10
9
8
10V
8V
9V
7V
5V
4V
3.5V
3V
6V
V
GS=
20V 12V
On-resistance v drain current
I
D-
Drain Current
(Amps)
R
D
-
(
)
0.1
10
100
3.5V
5V
V
GS
=3V
6V
0.1
10
1.0
1
10V
12
11
V
DS
-Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
C
C
oss
C
rss
C
iss
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
300
200
100
400
500
Q-Charge (nC)
V
G
-
Gate charge v gate-source voltage
0
10
8
6
2
0
4
12
14
16
V
DD
=
40V
60V
I
D=
3A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
Transconductance v drain current
I
D(on)
- Drain Current (Amps
)
g
f
-
0
2
4
6
8
10
V
DS=
10V
0
1
2
4
3
5
12
14
16
18
20
8V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4310A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4310G | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4424A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4424C | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4424G | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZVN4306G(3) | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述: |
| ZVN4306GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN4306GTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN4306GV | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| ZVN4306GVTA | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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