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參數(shù)資料
| 型號： | ZUMT858B |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 過時 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 17K |
| 代理商： | ZUMT858B |
SOT323 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 – FEBRUARY 1999
PARTMARKING DETAILS
ZUMT807-25 - T8
ZUMT807-40 - T24
COMPLEMENTARY TYPES
ZUMT807-25 - ZUMT817-25
ZUMT807-40 - ZUMT817-40
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
I
BM
P
tot
T
j
:T
stg
-50
V
Collector-Emitter Voltage
-45
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-1
A
Continuous Collector Current
-500
mA
Base Current
-100
mA
Peak Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and S torage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN. TYP.
MAX . UNIT CONDITIONS.
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-5
A
A
V
CB
=-20V, I
E
=0
V
CB
=-20V, I
E
=0, T
amb
=150°C
V
EB
=-5V, I
C
=0
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-10
A
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-700
mV
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1.2
V
I
C
=-500mA, V
CE
=-1V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
40
600
I
C
=-100mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-1V*
I
=-10mA, V
CE
=-5V
f=35MHz
-25
160
400
-40
250
600
Transition
Frequency
f
T
100
MHz
Collector-base
Capacitance
C
obo
8.0
pF
I
=I
=0, V
CB
=-10V
f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%
ZUMT807-25
ZUMT807-40
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZUMT860B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT860C | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT81740 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT848B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT850B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZUMT858BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT858BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT860B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
| ZUMT860BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT860BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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