| 型號: | ZUMT850B | 
| 元件分類: | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 | 
| 英文描述: | Transient Voltage Suppressor Diodes | 
| 中文描述: | 過時 | 
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 | 
| 文件大?。?/td> | 17K | 
| 代理商: | ZUMT850B | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| ZUMT850C | Transient Voltage Suppressor Diodes | 
| ZUMT807-40 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:3; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle | 
| ZUMT817-25 | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:3; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:12-3 | 
| ZUMT817-40 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:3; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle | 
| ZUMTQ31A | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT00; Number of Contacts:3; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| ZUMT850BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| ZUMT850BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| ZUMT850C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Obsolete | 
| ZUMT850CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| ZUMT850CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |