參數(shù)資料
型號(hào): ZTX692B
廠商: ZETEX PLC
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述: 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大小: 64K
代理商: ZTX692B
+25°C
+100°C
-55°C
+100°C
-55°C
0.01
0.1
1
10
0.4
0.2
0
0.8
0.6
0.01
0.1
1
10
0.4
0.2
0
0.8
0.6
0.01
0.1
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
0.01
0.1
1
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1.6
1.4
1.2
TYPICAL CHARACTERISTICS
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
C
-
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
C
-
I
C
-
Collector Current (Amps)
I
C
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
V
BE(sat)
v I
C
I
C
-
Collector Current (Amps)
V
BE(on)
v I
C
h
F
-
B
-
B
-
I
C
-
V
CE
=2V
V
CE
=2V
1.5K
1K
500
h
F
-
V
CE
-
Collector Voltage (Volts)
Safe Operating Area
0.1
100
1
10
0.01
0.1
1
10
Single Pulse Test at T
amb
=25°C
T
amb
=25°C
I
C
/I
B
=100
+25°C
+100°C
+175°C
-55°C
0
0
+-55°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=200
I
C
/I
B
=100
D.C.
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
ZTX692B
3-243
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PDF描述
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ZTX692BSTOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX692BSTOD 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
ZTX692BSTZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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