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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX692 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅平面中功率高增益晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | ZTX692 |
ZTX692B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Transition Frequency
f
T
150
MHz
I
=50mA, V
CE
=5V
f=50MHz
Input Capacitance
C
ibo
200
pF
V
EB
=0.5V, f=1MHz
Output Capacitance
C
obo
12
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
46
1440
ns
ns
I
C
=500mA, I
B!
=50mA
I
B2
=50mA, V
CC
=10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
1
Junction to Ambient
2
Junction to Case
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
th(j-case)
175
116
70
°C/W
°C/W
°C/W
Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.
-40
0.0001
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
0.001
0
100
200
D=0.2
D=0.1
Single Pulse
D=0.5
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
1.0
0.5
2.0
1.5
Casetempeaue
2.5
Ambient temperature
0
D=1 (D.C.)
3-242
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX692B | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| ZTX694B | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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| ZTX692BSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX692BSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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