參數(shù)資料
型號(hào)： ZDM4206
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE AVALANCHE RATED MOSFET
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET的額定雪崩
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 58K
代理商： ZDM4206
3 - 317
SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE AVALANCHE RATED MOSFET
ISSUE 1 - NOVEMBER 1995
PARTMARKING DETAIL – M4206N
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS
60
V
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
I
D
1
A
Pulsed Drain Current
I
DM
8
A
Gate-Source Voltage
V
GS
±
20
V
Continuous Body Diode Current at T
amb
=25°C
I
SD
1
A
Avalanche Current – Repetitive
I
AR
600
mA
Avalanche Energy – Repetitive
E
AR
15
mJ
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Total Power Dissipation at T
amb
= 25°C*
Any single die “on”
Both die “on” equally
P
tot
2.25
2.75
W
W
Derate above 25°C*
Any single die “on”
Both die “on” equally
18
22
mW/ °C
mW/ °C
Thermal Resistance - J unction to Ambient*
Any single die “on”
Both die “on” equally
55.6
45.5
°C/ W
°C/ W
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a PCB
with copper equal to 2 inches square.
SM-8
(8 LEAD SOT223)
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
1
G
2
S
2
ZDM4206N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZDM4206N DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE AVALANCHE RATED MOSFET
ZDM4306N DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS
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ZDT1053 DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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