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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Z01xxxN |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅) |
| 中文描述： | 敏感門雙向可控硅（雙向可控硅） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | Z01XXXN |
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
180
O
= 180
o
= 120
o
= 90
o
o
= 60
= 30
o
T(RMS)
I
(A)
P(W)
Fig.1 :
Maximum power dissipation versus RMS
on-statecurrent.
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110 120130
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
= 180
o
Ttab( C)
I
(A)
T(RMS)
Fig.3 :
RMS on-state current versus tab tempera-
ture.
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Igt
Tj( C)
o
Ih
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
Igt[Tj]
Igt[Tj=25 C]
Ih[Tj]
Ih[Tj=25 C]
Fig.5:
Relativevariationof gatetriggercurrentand
holdingcurrentversusjunctiontemperature.
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-90
-95
-100
-105
-110
-115
-120
-125
P (W)
Rth(j-a) C/W
Rth(j-t) C/W
Tamb ( C)
o
Ttab ( C)
o
Fig.2:
Correlationbetweenmaximumpowerdissi-
pation and maximum allowable temperature
(Tamband Ttab).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.10
1.00
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
Standard foot print , e(Cu)=35 m
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance
junctionto ambientversus pulseduration.
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
Tj initial = 25 C
Number of cycles
I
(A)
TSM
Fig.6 :
Non repetitive surge peak on-state current
versusnumberof cycles.
Z01xxxN
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