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參數(shù)資料
| 型號： | Z01xxxN |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅) |
| 中文描述： | 敏感門雙向可控硅（雙向可控硅） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | Z01XXXN |
P
G (AV)
= 0.1W P
GM
= 2 W(tp = 20
μ
s)
I
GM
= 1A (tp = 20
μ
s)
GATECHARACTERISTICS
(maximum values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junctionto ambient
60
°
C/W
Rth(j-t)
Junctionto leadsfor D.C
30
°
C/W
Rth(j-t)
Junctionto leadsfor A.C 360
°
conductionangle (F=50Hz)
25
°
C/W
THERMALRESISTANCES
Symbol
TestConditions
Quadrant
Sensitivity
Unit
03
07
09
10
I
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=140
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
3
5
10
25
mA
IV
MAX
5
7
10
25
V
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=140
Tj=25
°
C
I-II-III-IV
MAX
1.5
V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
Tj=125
°
C
I-II-III-IV
MIN
0.2
V
tgt
V
D
=V
DRM
I
T
= 1.4A
dI
G
/dt = 0.5A/
μ
s
I
G
= 40mA
Tj=25
°
C
I-II-III-IV
TYP
2
μ
s
I
H
*
I
T
= 50mA Gateopen
Tj=25
°
C
MAX
7
10
10
25
mA
I
L
I
G
= 1.2 I
GT
Tj=25
°
C
I-III-IV
TYP
7
10
10
25
mA
II
TYP
14
20
20
50
V
TM
*
I
TM
= 1.4A tp=380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.8
V
I
DRM
I
RRM
V
D
= V
DRM
V
R
= V
RRM
Tj=25
°
C
MAX
10
μ
A
Tj=110
°
C
MAX
200
dV/dt*
VD=67%V
DRM
Gateopen
Tj=110
°
C
MIN
10
20
50
100
V/
μ
s
(dV/dt)c*
(dI/dt)c= 0.44 A/ms
Tj=110
°
C
MIN
2
5
V/
μ
s
TYP
1
1
* For either polarityof electrodeA
2
voltagewith referenceto electrodeA
1
ELECTRICALCHARACTERISTICS
ORDERINGINFORMATION
Z
01
07
M
N
TRIAC TOPGLASS
CURRENT
PACKAGE:
N = SOT223
VOLTAGE
SENSITIVITY
Z01xxxN
2/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Z0200A | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON ZENER DIODES |
| Z0200B | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON ZENER DIODES |
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