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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN4482 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | XN4482 |
XN04404
2
SJJ00073BED
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
C
ob
V
CB
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
6
1
5
2
4
3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
10 mA
3 mA
4 mA
5 mA
6 mA
7 mA
8 mA
9 mA
2 mA
1 mA
C
C
Collector current I
C
(A)
10
2
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
1
10
I
C
/ I
B
=
50
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
B
B
Collector current I
C
(A)
10
2
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
1
10
I
C
/ I
B
=
50
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
0
10
2
600
500
400
300
200
100
F
F
Collector current I
C
(A)
10
1
1
10
V
CE
=
2 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
1
10
10
2
0
40
80
120
200
160
T
T
Emitter current I
C
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
80
60
40
20
10
10
2
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN04401(XN4401) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN04402(XN4402) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN04407 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04482(XN4482) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN4501 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| XN4502 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN4503 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN4504 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN4505 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:NPN epitaxial planer transistor |
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