- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371345 > XN1A311 Composite Device - Composite Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | XN1A311 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | XN1A311 |
XN0A311
3
SJJ00234CED
Characteristics charts of Tr1
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
12
2
10
4
8
6
0
40
80
120
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.5 mA
T
a
=
25
°
C
0.9 mA
0.3 mA
0.1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
1
0.1
1
10
100
1
000
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
100
200
1
10
100
1
000
V
CE
=
10 V
T
a
= 75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
20
30
10
0.1
10
1
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.01
1.0
0.1
1
10
100
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
0.1
0.1
1
10
1
10
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN0A311(XN1A311) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0A312(XN1A312) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0B301 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN1B301 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN0B301(XN1B301) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN1A312 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN-1AO-I | 制造商:Moeller Electric Corporation 功能描述:1 ANALOG OUTPUT PLUG-IN MODULE 0-20MA OR 4-20MA |
| XN1B301 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| XN1C301 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor |
| XN1D873 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel junction FET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。