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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN1871 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon N-channel junction FET |
| 中文描述： | 20 mA, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | MINI5-G1, SC-74A, 5 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | XN1871 |
2
Composite Transistors
XN1871
P
T
— Ta
I
D
— V
DS
I
D
— V
GS
gm — V
GS
gm — I
D
C
iss
, C
oss
— V
DS
C
rss
— V
DS
NF — f
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (C)
T
T
0
0
12
2
10
4
8
6
2
6
4
8
7
5
3
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
D
D
Ta=25C
–0.4V
–0.3V
–0.2V
–0.1V
V
GS
=0V
0
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
9.6
8.0
6.4
4.8
3.2
1.6
Gate to source voltage V
GS
(V)
D
D
V
DS
=10V
Ta=75C
25C
–25C
0
4
8
12
16
20
18
14
10
6
2
–0.6
–0.4
–0.2
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
M
m
V
DS
=10V
Ta=25C
I
DSS
=5.0mA
2.0mA
0
4
8
12
16
20
18
14
10
6
2
0
2
4
6
8
Drain current I
D
(mA)
M
m
V
DS
=10V
Ta=25C
I
DSS
=5.0mA
2.0mA
0
1
10
8
6
4
2
3
10
30
100
5
50
2
20
Drain to source voltage V
DS
(V)
C
C
C
i
,
o
V
GS
=–3V
f=1MHz
Ta=25C
C
iss
C
oss
0
1
5
4
3
2
1
3
10
30
100
5
50
2
20
C
r
Drain to source voltage V
DS
(V)
V
GS
=3V
f=1MHz
Ta=25C
0
10
100
Frequency f (Hz)
1k
10k
12
10
8
6
4
2
100k
N
V
DS
=10V
I
D
=5.2mA
Ta=25C
R
g
=500
1k
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN1872 | Silicon N-channel . Enhancement MOS FET |
| XN1A312 | Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN1B301 | Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor |
| XN1C301 | Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor |
| XN1D873 | Silicon N-channel junction FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN1872 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon n-channel enhancement MOSFET |
| XN1A311 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Composite Transistors |
| XN1A312 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN-1AO-I | 制造商:Moeller Electric Corporation 功能描述:1 ANALOG OUTPUT PLUG-IN MODULE 0-20MA OR 4-20MA |
| XN1B301 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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