參數(shù)資料
型號： XN0B301(XN1B301)
英文描述： 複合デバイス － 複合トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： XN0B301(XN1B301)
XN
0
C301
3
I
C
V
BE
h
FE
I
C
V
CE(sat)
I
C
h Parameter
I
E
h Parameter
V
CE
f
T
I
E
C
ob
V
CB
0
0
2.0
1.6
V
BE
(V)
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
C
V
CE
=
5 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.001
0.003
1
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10
30
100
300
1
000
I
C
(mA)
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
600
500
400
300
200
100
10
30
100
300
1
000
I
C
(mA)
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
0.3
40
80
120
160
140
100
60
20
1
3
10
30
100
T
I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
5
20
2
8
7
6
5
4
3
2
1
3
50
10
30
V
CB
(V)
100
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
NF
I
E
0
0.03
6
5
4
3
2
1
0.1
0.3
1
3
10
I
E
(mA)
V
CB
=
5 V
f
=
1 kHz
R
g
=
2 k
T
a
=
25
°
C
NF
I
E
0
0.1
20
2
18
4
6
8
10
12
14
16
0.3
1
3
10
2
0.5
0.2
5
I
E
(mA)
V
CB
=
5 V
R
g
=
50 k
T
a
=
25
°
C
f
=
100 Hz
10 kHz
1 kHz
1
0.1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
0.3
1
3
10
2
0.5
0.2
5
I
E
(mA)
V
CE
=
5 V
f
=
270 Hz
T
a
=
25
°
C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
×
10
4
)
1
0.1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
0.3
1
3
10
2
0.5
0.2
5
V
CE
(V)
I
E
=
2 mA
f
=
270 Hz
T
a
=
25
°
C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
×
10
4
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN0C301(XN1C301) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0D873 Composite Device - Composite Transistors
XN1D873 Composite Device - Composite Transistors
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參數(shù)描述
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XN0C301(XN1C301) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0C30100L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-5P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XN0F256 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
XN0F25600L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
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