型號(hào): | XN0A311 |
英文描述: | Composite Device - Composite Transistors |
中文描述: | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 115K |
代理商: | XN0A311 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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XN1A311 | Composite Device - Composite Transistors |
XN0A311(XN1A311) | 複合デバイス - 複合トランジスタ |
XN0A312(XN1A312) | 複合デバイス - 複合トランジスタ |
XN0B301 | Composite Device - Composite Transistors |
XN1B301 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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XN0A311(XN1A311) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ |
XN0A31100L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI-5 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000784046 |
XN0A312 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type(Tr1) |
XN0A312(XN1A312) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ |