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參數(shù)資料
| 型號： | XN04608 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | XN04608 |
3
Composite Transistors
Characteristics charts of Tr1
I
C
— V
CE
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
I
C
— I
B
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
NV — I
C
XN04608
0
0
10
2
4
8
6
60
50
40
30
20
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1200
1000
800
600
400
200
Base to emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=10V
Ta=25
C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=10V
Ta=75
C
–
25
C
25
C
0
0
1000
800
600
400
200
Base current I
B
(
μ
A)
240
200
160
120
80
40
C
C
V
CE
=10V
Ta=25
C
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
600
500
400
300
200
100
1
3
10
30
100
F
F
V
CE
=10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
–
0.1
–
0.3
300
240
180
120
60
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=10V
Ta=25
C
0
10
240
200
160
120
80
40
30
100
300
1000
50
500
20
Collector current I
C
(
μ
A)
200
N
V
CE
=10V
G
V
=80dB
Function=FLAT
Ta=25
C
4.7k
R
g
=100k
22k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| XN05531 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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參數(shù)描述 |
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| XN04609(XN4609) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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