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參數(shù)資料
| 型號： | XN0F256 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 中文描述： | 600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | XN0F256 |
1
Publication date: July 2003
SJJ00120BED
Composite Transistors
XN0F256
Silicon NPN epitaxial planar type
For muting
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Collector-coupled transistors with built-in resistor)
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Internal Connection
Marking Symbol: 6A
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
5
V
Collector current
600
mA
Total power dissipation
P
T
300
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
6
Tr2
Tr1
5
4
3
1
2
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
1
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
1
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
30 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
50 mA
I
C
=
50 mA, I
B
=
2.5 mA
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
I
EBO
1
μ
A
μ
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
1
Forward current transfer ratio
h
FE
100
600
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
R
1
80
mV
Input resistance
30%
4.7
+
30%
k
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
200
MHz
2.90
1.9
±
0.1
(0.95)
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
0.30
+0.10
0.50
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
10
1: Emitter (Tr1)
2: Collector
3: Emitter (Tr2)
EIAJ: SC-74
4: Base (Tr2)
5: N.C.
6: Base (Tr1)
Mini6-G1 Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN1110 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN1111 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN1112 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN1113 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XN1115 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN0F25600L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
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| XN0F262 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN0F26200L | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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