參數(shù)資料
型號： XN04211
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： For switching/digital circuits
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 81K
代理商： XN04211
1
Composite Transistors
XN04211
(XN4211)
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For switching/digital circuits
I
Features
G
Two elements incorporated into one package.
(Transistors with built-in resistor)
G
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
I
Basic Part Number of Element
G
UNR1211(UN1211)
×
2 elements
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr2)
3 : Emitter (Tr2)
4 : Collector (Tr2)
5 : Base (Tr1)
6 : Emitter (Tr1)
EIAJ : SC–74
Mini6-G1 Package
Unit: mm
Marking Symbol:
9V
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
I
C
P
T
T
j
100
mA
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
150
C
Storage temperature
T
stg
–55 to +150
C
Rating
of
element
Overall
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
I
CBO
I
CEO
I
C
= 2mA, I
B
= 0
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
CE
= 50V, I
B
= 0
50
V
Collector cutoff current
0.1
μ
A
μ
A
0.5
Emitter cutoff current
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
EB
= 6V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
I
C
= 10mA, I
B
= 0.3mA
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V, R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V, R
L
= 1k
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
0.5
mA
Forward current transfer ratio
35
Collector to emitter saturation voltage
0.09
0.25
V
Output voltage high level
V
OH
V
OL
f
T
4.9
V
Output voltage low level
0.2
V
Transition frequency
150
MHz
Input resistance
R
1
R
1
/R
2
–30%
10
+30%
k
Resistance ratio
0.8
1.0
1.2
2.90
1.9
±0.1
(0.95)
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
+
–
0.30
+0.10
0.50
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
10
6
Tr2
Tr1
5
4
3
2
1
Note) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.
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