| 型號: | XN04110(XN4110) |
| 英文描述: | 複合デバイス - 複合トランジスタ |
| 中文描述: | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁數(shù): | 2/3頁 |
| 文件大小: | 183K |
| 代理商: | XN04110(XN4110) |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN04112(XN4112) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04113(XN4113) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04116(XN4116) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04210 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN04210(XN4210) | 複合デバイス - 複合トランジスタ |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN04111 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| XN04111(XN4111) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ |
| XN0411100L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI6P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
| XN04112 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |