參數(shù)資料
型號： XN04112(XN4112)
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復合設備-復合晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： XN04112(XN4112)
1
: 2003
6
SJJ00226CJD
XN04110 (XN4110)
PNP
/
■
1
2
(
)
■
UNR2110 (UN2110) × 2
■
Ta
= 25°C
1 : Collector (Tr1)
4 : Collector (Tr2)
2 : Base (Tr2)
5 : Base (Tr1)
3 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
EIAJ : SC-74
Mini6-G1 Package
Unit : mm
: BI
Tr2
Tr1
5
4
3
2
1
6
(E
)VCBO
50
V
(B
)
VCEO
50
V
IC
100
mA
PT
300
mW
Tj
150
°C
Tstg
55 +150
°C
■
Ta
= 25°C ± 3°C
)
JIS C 7030
2.90
1.9±0.1
0.16
+0.10
–0.06
2.8
+0.2 –0.3
1.1
+0.3 –0.1
1.1
0
to
0.1
+0.2 –0.1
1.50
(0.65)
0.4
±
0.2
+0.25 –0.05
(0.95)
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
(0.95)
6
5
4
1
32
+0.20
–0.05
5
10
)
( )
(E
)VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 0
50
V
(B
)VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
V
(E
)
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
A
(B
)
ICEO
VCE
= 50 V, I
B
= 0
0.5
A
(C
)
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
0.01
mA
hFE
VCE = 10 V, IC = 5 mA
160
460
VCE(sat)
IC
= 10 mA, I
B
= 0.3 mA
0.25
V
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 k4.9
V
VOL
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 k 0.2
V
R1
30%
47
+30%
k
fT
VCB = 10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN04113(XN4113) Composite Device - Composite Transistors
XN04116(XN4116) Composite Device - Composite Transistors
XN04210 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74
XN04210(XN4210) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN04213 Composite Device - Composite Transistors
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XN0411300L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI6P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
XN04114 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor
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