| 型號: | XN02401(XN2401) | 
| 英文描述: | 複合デバイス - 複合トランジスタ | 
| 中文描述: | 複合デバイス-複合トランジスタ | 
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 | 
| 文件大小: | 212K | 
| 代理商: | XN02401(XN2401) | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| XN04110(XN4110) | 複合デバイス - 複合トランジスタ | 
| XN04112(XN4112) | Composite Device - Composite Transistors | 
| XN04113(XN4113) | Composite Device - Composite Transistors | 
| XN04116(XN4116) | Composite Device - Composite Transistors | 
| XN04210 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| XN02501 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor | 
| XN02501(XN2501) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ | 
| XN0250100L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN MINI-5P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 | 
| XN02531 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |