參數(shù)資料
型號(hào)： XC68HC12D60VPV8
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： Advance Information - Rev 4.0
中文描述： 16-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
封裝： TQFP-112
文件頁數(shù)： 372/432頁
文件大?。?/td> 2994K
代理商： XC68HC12D60VPV8
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Electrical Specifications
Advance Information
68HC(9)12D60 — Rev 4.0
372
Electrical Specifications
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MOTOROLA
Use of an external circuit to condition V
FP
is recommended.
Figure 20-1
shows a simple circuit that maintains required voltages and filters
transients. V
FP
is pulled to V
DD
via Schottky diode D2. Application of
Table 20-9. EEPROM Characteristics
V
DD
=
5.0 Vdc
±
10%, V
SS
=
0 Vdc, T
A
=
T
L
to T
H
, unless otherwise noted
Characteristic
Minimum programming clock frequency
(1)
Symbol
f
PROG
t
PROG
t
CRSTOP
t
ERASE
Min
Typical
Max
Unit
1.0
MHz
Programming time
10
10.5
ms
Clock recovery time, following STOP, to continue programming
t
PROG
+
1
ms
Erase time
10
10.5
ms
Write/erase endurance
10,000
30,000
(2)
cycles
Data retention
10
years
1. RC oscillator must be enabled if programming is desired and f
SYS
<
f
PROG
.
2. If average T
H
is below 85
°
C.
Table 20-10. Flash EEPROM Characteristics (68HC912D60 only)
V
DD
=
5.0 Vdc
±
10%, V
SS
=
0 Vdc, T
A
=
T
L
to T
H
, unless otherwise noted
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Units
Program/erase supply voltage:
Read only
Program / erase / verify
V
FP
V
DD
0.35
11.4
V
DD
12
V
DD
+
0.5
12.6
V
V
Program/erase supply current
Word program(V
FP
= 12V)
Erase(V
FP
= 12V)
I
FP
30
4
mA
mA
Number of programming pulses
n
PP
50
pulses
Programming pulse
t
PPULSE
t
VPROG
p
m
n
EP
t
EPULSE
t
VERASE
e
m
20
25
μ
s
Program to verify time
10
μ
s
Program margin
100
(1)
%
Number of erase pulses
5
pulses
Erase pulse
5
10
ms
Erase to verify time
1
ms
Erase margin
100
(1)
100
10
%
Program/erase endurance
Data retention
cycles
years
1. The number of margin pulses required is the same as the number of pulses used to program or erase.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
n
.
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PDF描述
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