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參數(shù)資料
| 型號： | X02xxxN |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Sensitive Gate SCR(硅控整流管) |
| 中文描述： | 靈敏柵極可控硅（硅控整流管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | X02XXXN |
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
P (W)
360
O
= 180
o
= 120
o
= 90
o
= 60
o
= 30
o
DC
I
(A)
T(AV)
Fig.1 :
Maximum average power dissipation ver-
sus average on-state current.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
(A)
T(AV)
= 180
o
DC
Ttab ( C)
Fig.3 :
Average on-state current versus tab tem-
perature.
Igt
Ih
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
Igt[Tj]
Igt[Tj=25 C]
Ih[Tj]
Ih[Tj=25 C]
Tj( C)
o
Fig.5 :
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature.
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-85
-95
-105
-115
-125
P (W)
Ttab ( C)
Tamb ( C)
Rth(j-t)
Rth(j-a)
Fig.2 :
Correlation between maximum average
power dissipation and maximum allowable tem-
perature (Tamb and Ttab).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.10
1.00
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
Standard foot print , e(Cu)=35
m
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration.
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
Tj initial = 25 C
Number of cycles
I
(A)
TSM
Fig.6 :
Non repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
X02xxxN
3/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| X0202MA | 1.25A SCRs |
| X0205MN | 1.25A SCRs |
| X0202MN | 1.25A SCRs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| X03051-006 | 制造商:MTRONPTI 制造商全稱:MTRONPTI 功能描述:1.5x1.5 inch, 5.0 & 10.0 Volt, TTL/HCMOS/Sinewave, TCXO |
| X03080-086-100.000MHZ | 制造商:MtronPTI 功能描述: |
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