參數(shù)資料
型號(hào): X0203MA1BA2
英文描述: THYRISTOR 1.25A 600V
中文描述: 600V的晶閘管電流1.25A
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: X0203MA1BA2
1
10
1
10
100
I
(A). I
2
t (A
2
s)
TSM
Tj initial = 25 C
o
ITSM
tp(ms)
I
2
t
Fig.7 :
Nonrepetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width : tp
10ms, and
correspondingvalue of I
2
t.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.1
1
10
100
I
(A)
TM
Tj initial
25 C
Tj max
V
(V)
TM
Tj max
Vto =1.05V
Rt =0.150
Fig.8 :
On-statecharacteristics(maximum values).
X02xxxA
4/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
X02xxxA Sensitive Gate SCR(硅控整流管)
X02xxxN Sensitive Gate SCR(硅控整流管)
X02xxyA1BA2 1.25A SCRs
X0205NN 1.25A SCRs
X0202MA 1.25A SCRs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
X0203MA2BL2 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE GATE SCR
X0203MA5BL2 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE GATE SCR
X0203NA 1BA2 功能描述:SCR 1.25 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
X0203NA1BA2 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE GATE SCR
X0203NN 5AA4 功能描述:SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube