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參數(shù)資料
| 型號： | X0202-SOT-223 |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SCR |
| 中文描述： | 可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | X0202-SOT-223 |
UTC X0202/A
SCR
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
3
QW-R301-006,A
Figure 2-2.Average and D.C. On-state Current
vs.Ambient Temperature(Device Mounted On
FR4 with Recomended Pad Layout)
Figure 3. Relative Variation of Thermal
Impedance Junction to Ambient
vs.Pulse Duration
Tamb(
℃
)
α=180°
D.C.
0
25
75
50
100
125
0.2
0.4
0.6
0.8
0.0
1.0
1.2
1.4
1E-2
1E+1
1E+0
5E+2
1E+2
1E-1
0.01
0.1
1.0
tp(s)
Figure 4.Relative Variation of Gate Trigger
Current,Holding Current and Latching Current
Versus Junction Temperature (typical values).
IGT,IH,IL[Tj]/GT,IH,IL[Tj]=25
-40
0.25
-20
20
0.50
0.75
1.00
0
0.0
40
60
80
100 120 140
1.25
1.50
Tj(
℃
)
IGT
IH&IL
(Rgk=1k
Ω
)
Figure 5.Relative Variation of Holding Current
vs.Gate-cathode Resistance (typical values).
IH[Rgk]/IH[Rgk=1k
Ω
]
1E-2
0.5
1E-1
1E+0
1.0
1.5
2.0
0.0
1E+1
2.5
3.0
3.5
4.0
Tj=25
℃
Rgk(k
Ω
)
Figure 6.Relative Variation of dV/dt immunity
vs.Gate-Cathode Resistance (typical values).
dV/dt[Rgk]/dV/dt[Rgk=1k
Ω
]
0.0 0.2
0.6
1.0
0.4
0.1
0.8
1.0
1.2
1.4 1.6 1.8
10.0
Tj=125(
℃
)
VD=0.67*VDRM
Rgk(k
Ω
)
2.0
Figure 7.Relative Variation of dV/dt Immunity
vs Gate-cathode Capacitance (typical values).
20dV/dt[Rgk]/dV/dt[Rgk=1k
Ω
]
Tj=125(
℃
)
VD=0.67*VDRM
Rgk=1k
Ω
)
0
2
2
6
4
6
8
4
0
8
10 12
14 16 18
10
12
20 22
14
16
18
Cgk(nF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| X0202-TO-92 | SCR |
| X0203MA1BA2 | THYRISTOR 1.25A 600V |
| X02xxxA | Sensitive Gate SCR(硅控整流管) |
| X02xxxN | Sensitive Gate SCR(硅控整流管) |
| X02xxyA1BA2 | 1.25A SCRs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| X0202-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SENSITIVE SCRS |
| X0202-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SENSITIVE SCRS |
| X0202-T92-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SENSITIVE SCRS |
| X0202-TO-92 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SCR |
| X0202YN5BA4 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1.25A SCRs |
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