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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | WV3HG232M64EEU403D4SG |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA200 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 220K |
| 代理商： | WV3HG232M64EEU403D4SG |
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WV3HG232M64EEU-D4
January 2006
Rev. 1
ADVANCED
5
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.wedc.com
White Electronic Designs
INPUT/OUTPUT CAPACITANCE
TA = 25°C, f = 100MHz
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Input Capacitance (A0~A12, BA0~BA1, RAS#, CAS#, WE#)
CIN1
20
36
pF
Input Capacitance (CKE0, CKE1), (ODT, ODT1)
CIN2
12
20
pF
Input Capacitance (CS0#, CS1#)
CIN3
12
20
pF
Input Capacitance (CK0, CK0#, CK1, CK1#)
CIN4
12
20
pF
Input Capacitance (DM0 ~ DM7), (DQS0 ~ DQS7)
CIN5
912
pF
Input Capacitance (DQ0 ~ DQ63)
COUT1
912
pF
Notes:
AC specication is based on MICRON components. Other DRAM manufactures specication may be different.
INPUT/OUTPUT CAPACITANCE
TA = 25°C, f = 100MHz
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Input Capacitance (A0~A12, BA0~BA1, RAS#, CAS#, WE#)
CIN1
20
36
pF
Input Capacitance (CKE0, CKE1), (ODT, ODT1)
CIN2
12
20
pF
Input Capacitance (CS0#, CS1#)
CIN3
12
20
pF
Input Capacitance (CK0, CK0#, CK1, CK1#)
CIN4
12
20
pF
Input Capacitance (DM0 ~ DM7), (DQS0 ~ DQS7)
CIN5 (E6)
9
11
pF
CIN5 (D5)
9
12
pF
Input Capacitance (DQ0 ~ DQ63)
COUT1 (E6)
9
11
pF
COUT1 (D5)
9
12
pF
Notes:
AC specication is based on SAMSUNG components. Other DRAM manufactures specication may be different.
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