參數(shù)資料
型號(hào)： WEDPN16M64VR-66BM
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7.5 ns, PBGA219
封裝： 32 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大小： 423K
代理商： WEDPN16M64VR-66BM
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
WEDPN16M64VR-XBX
10
Parameter
Symbol
-133
-125
-100
-66
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Access time from CLK (pos. edge)
CL = 3
tAC
5.4
5.8
6
7.5
ns
CL = 2
tAC
66
6
9
ns
Address hold time
tAH
0.8
1
ns
Address setup time
tAS
1.5
2
ns
CLK high-level width
tCH
2.5
3
ns
CLK low-level width
tCL
2.5
3
ns
Clock cycle time (22)
CL = 3
tCK
7.5
8
10
15
ns
CL = 2
tCK
10
15
20
ns
CKE hold time
tCKH
0.8
1
ns
CKE setup time
tCKS
1.5
2
ns
CS, RAS, CAS, WE, DQM hold time
tCMH
0.8
1
ns
CS, RAS, CAS, WE, DQM setup time
tCMS
1.5
2
ns
Data-in hold time
tDH
0.8
1
ns
Data-in setup time
tDS
1.5
2
ns
Data-out high-impedance time
CL = 3 (10)
tHZ
5.4
5.8
6
7.5
ns
CL = 2 (10)
tHZ
66
6
9
ns
Data-out low-impedance time
tLZ
11
12
ns
Data-out hold time (load)
tOH
33
ns
Data-out hold time (no load) (26)
tOHN
1.8
ns
ACTIVE to PRECHARGE command
tRAS
44
120,000
50
120,000
50
120,000
60
120,000
ns
ACTIVE to ACTIVE command period
tRC
66
70
ns
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
20
30
ns
Refresh period (8,192 rows) – Commercial, Industrial
tREF
64
ms
Refresh period (8,192 rows) – Military
tREF
16
ms
AUTO REFRESH period
tRFC
66
70
90
ns
PRECHARGE command period
tRP
20
30
ns
ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command
tRRD
15
20
ns
Transition time (7)
tT
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
1
1.2
ns
WRITE recovery time
(23)
tWR
1CLK + 7.5ns
1 CLK + 7.5ns
—
(24)
15
ns
Exit SELF REFRESH to ACTIVE command
tXSR
75
80
90
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CHARACTERISTICS
(NOTES 5, 6, 8, 9, 11, 29)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WE128K8-300CC EEPROM 5V MODULE, CDIP32
W25Q16CVDAAP 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8
WE-128K32-200HI 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CPGA66
WE128K16-300CC 128K X 16 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CDMA40
WS512K32F-25H2QA 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, CHMA66
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WEDPN16M64VR-XB2X 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx64 REGISTERED SYNCHRONOUS DRAM
WEDPN16M64VR-XBX 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Registered SDRAM MCP
WEDPN16M64V-XB2X 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx64 Synchronous DRAM
WEDPN16M64V-XBX 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM MCP
WEDPN16M72V-100B2C 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx72 Synchronous DRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*