參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6816V1510BI
廠商： WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 9/26頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： WED9LC6816V1510BI
WED9LC6816V
17
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIG. 9 SDRAM PAGE READ CYCLE AT DIFFERENT BANK @
BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
SDCK
SDWE#
SDCAS#
ADDR
RAa
RBb
CAa
CBb
CAe
CBd
CAc
BA0, 1
[A12,A13]
SDA10
RAa
RBb
CL=2
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2
QAc1
QBb3 QAc0
QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
CL=3
DQ
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3 QBb0 QBb1
QAc0
QBb2
Qbb3
QAc1 QBd0 QBd1
QAe0 QAe1
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON’T CARE
SDCE#
SDRAS#
BWE#
Note 2
Note 1
NOTES:
1. SDCE# can be “don’t care” when SDRAS#, SDCAS# and SDWE# are high at the clock going high edge.
2. To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WED3DG644V75D1I-SG 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144
WF-128K32-120HM 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 120 ns, CPGA66
WF128K32-200HM 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 200 ns, CHIP66
WMS512K8-120DEI 512K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDSO32
WMF2M8-150FLM5 2M X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, CDFP44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6816V1512BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1512BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1610BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1610BI 制造商:White Electronic Designs 功能描述:Res Thin Film 2010 196 Ohm 0.25% 1/4W ±10ppm/°C Molded SMD Plastic T/R 制造商:White Electronic Designs 功能描述:256KX32 SSRAM/ 4MX32 SDRAM
WED9LC6816V1612BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
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