參數資料
型號： W949D2CBJX6G
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90
封裝： 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90
文件頁數： 1/60頁
文件大?。?/td> 1160K
代理商： W949D2CBJX6G
W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 1 -
Revision A01-006
TABLE OF CONTENTS
相關PDF資料
PDF描述
W963B6BBN80E 512K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48
W964A6BBN70E 1M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48
W964L6ABN70E 1M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48
W964L6ABN70I 1M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48
W971GG6JB-25A 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
相關代理商/技術參數
參數描述
W949D2KBJX5E 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
W949D2KBJX5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
W949D2KBJX6E 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
W949D6CB 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPDDR
W949D6CBHX5E 功能描述:IC LPDDR SDRAM 512MBIT 60VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*