參數(shù)資料
型號(hào)： W29C040T70BN
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32
封裝： TSOP1-32
文件頁(yè)數(shù)： 8/28頁(yè)
文件大?。?/td> 257K
代理商： W29C040T70BN
W29C040
- 16 -
Byte/Page-write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle (erase and program)
TWC
-
10
mS
Address Setup Time
TAS
0
-
nS
Address Hold Time
TAH
50
-
nS
#WE and #CE Setup Time
TCS
0
-
nS
#WE and #CE Hold Time
TCH
0
-
nS
#OE High Setup Time
TOES
0
-
nS
#OE High Hold Time
TOEH
0
-
nS
#CE Pulse Width
TCP
70
-
nS
#WE Pulse Width
TWP
70
-
nS
#WE High Width
TWPH
100
-
nS
Data Setup Time
TDS
50
-
nS
Data Hold Time
TDH
0
-
nS
Byte Load Cycle Time
TBLC
-
200
μS
Notes:
All AC timing signals observe the following guideline for determining setup and hold times:
(1) High level signal's reference level is VIH
(2) Low level signal's reference level is VIL
#DATA Polling Characteristics (1)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Data Hold Time
TDH
10
-
nS
#OE Hold Time
TOEH
10
-
nS
#OE to Output Delay (2)
TOE
-
nS
Write Recovery Time
TWR
0
-
nS
Notes:
(1) These parameters are characterized and not 100% tested.
(2) See TOE spec in A.C. Read Cycle Timing Parameters.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WED7G064ATA33XDC25 32M X 16 FLASH 3.3V PROM MODULE, DMA144
WED2ZL361MS30BC 1M X 36 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA119
W3HG64M72EER534AD7SG 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, ZMA244
WS128K32N-100HIE 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CHIP66
WMS128K8L-70DRQ 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDSO32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W29C040T-90 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040T-90B 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040T90BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
W29C040T-90N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC
W29C101-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM
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