參數(shù)資料
型號(hào)： W29C040T70BN
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32
封裝： TSOP1-32
文件頁(yè)數(shù)： 7/28頁(yè)
文件大?。?/td> 257K
代理商： W29C040T70BN
W29C040
Publication Release Date: Aug. 14, 2006
- 15 -
Revision A11
10. AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
(VDD = 5.0V
±10 % for 70, 90,120 nS)
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
0V to 3V
Input Rise/Fall Time
<5 nS
Input/Output Timing Level
1.5V/1.5V
Output Load
1 TTL Gate and CL = 100 pF for 90/120 nS
CL = 30 pF for 70 nS
AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
DOUT
Ω
100 pF for 90/120nS
30 pF for 70nS
(Including Jig and Scope)
Input
3V
0V
Test Point
1.5V
Output
Read Cycle Timing Parameters
(VDD = 5.0V
±10 % VSS = 0V, TA = 0 to 70° C for normal products, -40 to 85° C for W29C040xxxxK)
PARAMETER
SYM.
W29C040-70
W29C040-90
W29C040-12
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
TRC
70
-
90
-
120
-
nS
Chip Enable Access Time
TCE
-
70
-
90
-
120
nS
Address Access Time
TAA
-
70
-
90
-
120
nS
Output Enable Access Time
TOE
-
35
-
40
-
50
nS
#CE High to High-Z Output
TCHZ
-
20
-
25
-
30
nS
#OE High to High-Z Output
TOHZ
-
20
-
25
-
30
nS
Output Hold from Address Change
TOH
0
-
0
-
0
-
nS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WED7G064ATA33XDC25 32M X 16 FLASH 3.3V PROM MODULE, DMA144
WED2ZL361MS30BC 1M X 36 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA119
W3HG64M72EER534AD7SG 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, ZMA244
WS128K32N-100HIE 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CHIP66
WMS128K8L-70DRQ 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDSO32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W29C040T-90 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040T-90B 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C040T90BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
W29C040T-90N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC
W29C101-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM
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