- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄231502 > W29C040T-90N (WINBOND ELECTRONICS CORP) 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W29C040T-90N |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 6/28頁 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | W29C040T-90N |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
W29C040
- 14 -
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
TPU. READ
100
μS
Power-up to Write Operation
TPU. WRITE
10
mS
9.
CAPACITANCE
(VDD = 5.0V, TA = 25
° C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
DQ Pin Capacitance
CDQ
VDQ = 0V
12
pF
Input Pin Capacitance
CIN
VIN = 0V
6
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED2ZL361MS26BC | 1M X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA119 |
| W3E32M72S-266BC | 32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3HG128M72AEF665F1MCG | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| WS128K32-100G4QE | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS128K32N-70HME | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CHIP66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29C101-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-12B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。