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參數(shù)資料
| 型號： | W29C040T-90N |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 28/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | W29C040T-90N |
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W29C040
Publication Release Date: Aug. 14, 2006
- 9 -
Revision A11
7.3
Command Codes for Software Chip Erase
BYTE SEQUENCE
ADDRESS
DATA
0 Write
5555H
AAH
1 Write
2AAAH
55H
2 Write
5555H
80H
3 Write
5555H
AAH
4 Write
2AAAH
55H
5 Write
5555H
10H
Software Chip Erase Acquisition Flow
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 80
to
address 5555
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 10
to
address 5555
W ait for 50 m S or
Exit
toggle/polling
com pleted
Notes for software chip erase:
Data Format: DQ7
DQ0 (Hex)
Address Format: A14
A0 (Hex)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED2ZL361MS26BC | 1M X 36 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA119 |
| W3E32M72S-266BC | 32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3HG128M72AEF665F1MCG | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| WS128K32-100G4QE | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS128K32N-70HME | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CHIP66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29C101-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-12B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
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