參數(shù)資料
型號(hào)： W25B20-VSNI-G
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 256K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
封裝： GREEN, 0.150 INCH, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 20/36頁(yè)
文件大?。?/td> 1312K
代理商： W25B20-VSNI-G
W25B40/W25B40A
Publication Release Date: September 22, 2006
- 27 -
Revision N
9.3
Power-up Timing and Write Inhibit Threshold
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNIT
VCC (min) to /CS Low
tVSL(1)
10
s
Time Delay Before Write Instruction
tPUW(1)
1
10
ms
Write Inhibit Threshold Voltage
VWI(1)
1
2
V
Note:
1. These parameters are characterized only.
Figure 17. Power-up Timing and Voltage Levels
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W25P012AD-8 32K X 32 STANDARD SRAM, 8 ns, PQFP100
W25P012AF-7 32K X 32 STANDARD SRAM, 7 ns, PQFP100
W25P025AD-7 64K X 32 STANDARD SRAM, 7 ns, PQFP100
W25P20-VSNI-G 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
W25Q128BVFAP 128M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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W25B40AVSNIG 功能描述:IC FLASH 4MBIT 40MHZ 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
W25B40AVSNIG T&R 功能描述:IC FLASH 4MBIT 40MHZ 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
W25B40VSNIG 功能描述:IC FLASH 4MBIT 40MHZ 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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