參數(shù)資料
型號: VVZ12-14GO1
英文描述: THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.4KV V(RRM)|12A I(T)
中文描述: 可控硅模塊| 3 - PH值全波|半CNTLD |消委會| 1.4KV五(無線資源管理)| 12A條疙(T)
文件頁數(shù): 1/1頁
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代理商: VVZ12-14GO1
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
VVZ24-16GO1 THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.6KV V(RRM)|24A I(T)
VVZ24-14GO1 THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.4KV V(RRM)|24A I(T)
VVZ24-12GO1 THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.2KV V(RRM)|24A I(T)
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MMO74-16IO1 THYRISTOR MODULE|AC SWITCH|1.6KV V(RRM)|34A I(T)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VVZ12-14io1 功能描述:SCR模塊 12 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VVZ12-16GO1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.6KV V(RRM)|12A I(T)
VVZ12-16io1 功能描述:SCR模塊 12 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VVZ175 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge, B6HK
VVZ175-12io7 功能描述:SCR模塊 175 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK