參數資料
型號： VVZ12-16GO1
英文描述： THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.6KV V(RRM)|12A I(T)
中文描述： 可控硅模塊| 3 - PH值全波|半CNTLD |消委會| 1.6KV五（無線資源管理）| 12A條疙（T）
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代理商： VVZ12-16GO1
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PDF描述
MMO74-16IO1 THYRISTOR MODULE|AC SWITCH|1.6KV V(RRM)|34A I(T)
MMO74-12IO1 THYRISTOR MODULE|AC SWITCH|1.2KV V(RRM)|34A I(T)
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參數描述
VVZ12-16io1 功能描述:SCR模塊 12 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VVZ175 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge, B6HK
VVZ175-12io7 功能描述:SCR模塊 175 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VVZ175-14io7 功能描述:SCR模塊 175 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VVZ175-16I07 制造商:IXYS Corporation 功能描述:VVZ Series 1600 Vrrm 167 A Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge B6HK
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