參數(shù)資料
型號： VQ1000J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.225A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流0.225A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 5/6頁
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代理商： VQ1000J
2N7000/7002, VQ1000J/P, BS170
Siliconix
S-52429—Rev. E, 28-Apr-97
5
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
0
4
8
12
16
20
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
0.5
1.0
1.5
2.0
–55
–30
–5
20
45
70
95
120
145
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 30 V
I
D
= 0.5 A
–
r
D
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 10 V, r
DS
@ 0.5 A
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
r
DS
@ 10 V = V
GS
r
DS
@ 5 V = V
GS
T
J
= 25 C
V
GS
= 5 V, r
DS
@ 0.05 A
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
0.001
0.010
0.100
1.000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
500 mA
r
DS
= 50 mA
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ1000J N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VQ1001J Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VQ1001J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓30V，夾斷電流0.83A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VQ1004J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.46A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VQ1004J N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VQ1000P 功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1000P2 制造商:SILICONIX 功能描述:New
VQ1000P-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.225A 14-Pin PDIP T/R
VQ1000P-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1001J 功能描述:MOSFET QD 30V 0.83A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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