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參數(shù)資料
| 型號： | VQ1001J |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓30V，夾斷電流0.83A的N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓30V的，夾斷電流0.83A的N溝道增強型MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | VQ1001J |
VQ1001J/P
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
1
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
Product Summary
Part Number
V
(BR)DSS
Min (V)
r
DS(on)
Max ( )
V
GS(th)
(V)
I
D
(A)
VQ1001J
30
1 @ V
GS
= 12 V
0.8 to 2.5
0.83
VQ1001P
1 @ V
GS
= 12 V
0.8 to 2.5
0.53
Features
Benefits
Applications
Low On-Resistance: 0.85
Low Threshold: 1.4 V
Low Input Capacitance: 38 pF
Fast Switching Speed: 9 ns
Low Input and Output Leakage
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
High-Speed Circuits
Low Error Voltage
Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Solid-State Relays
Plastic: VQ1001J
Sidebraze: VQ1001P
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
Top View
Dual-In-Line
D
1
D
4
S
1
S
4
G
1
G
4
NC
NC
G
2
G
3
S
2
S
3
D
2
D
3
N
N
N
N
Absolute Maximum Ratings (T
A
= 25 C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Single
Total Quad
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate Source Voltage
Gate-Source Voltage
VQ1001J
V
GS
30
V
VQ1001P
20
Continuous Drain Current (T
J
= 150 C)
T
A
= 25 C
I
D
0.83
T
A
= 100 C
0.53
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
3
Power Dissipation (Single)
T
A
= 25 C
P
D
1.3
2
W
T
A
= 100 C
0.52
0.8
Maximum Junction-to-Ambient (Single)
R
thJA
96
62.5
C/W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Notes
a.
Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70219.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VQ1004J | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.46A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
| VQ1004J | N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |
| VQ1006P | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強型MOSFET) |
| VQ1006P | N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs |
| VQ2000J | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VQ1001P | 功能描述:MOSFET QD 30V 0.53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VQ1001P-2 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin PDIP |
| VQ1001P-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin SBCDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:QUAD N-CH MOSFET SIDEBRAZE-14 30V 1.0 OHM (HOTS) LEAD FREE - Bulk 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Channel, 30v, 0.53A, 12MOHMS |
| VQ1004J | 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VQ1004P | 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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