參數(shù)資料
型號： VP2206
廠商： Supertex, Inc.
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： P通道增強模式垂直的DMOS場效應管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 456K
代理商： VP2206
3
Typical Performance Curves
VP2206
Output Characteristics
-10
-8
-6
-4
-2
-0
Saturation Characteristics
-10
-8
-6
-4
-2
-0
Maximum Rated Safe Operating Area
-1
-1000
-100
-10
-0.1
-1.0
-10
-0.01
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
10
0.01
0.1
1
Transconductance vs. Drain Current
2
1
0
0
-10
-5
Power Dissipation vs. Case Temperature
0
150
100
50
10
8
6
4
2
0
125
75
25
TO-39
P
D
= 6.0W
T
C
= 25
°
C
TO-92
TO-39
TO-39 (DC)
TO-92 (DC)
TO-39 (pulsed)
0
-10
-20
V
DS
(volts)
-30
-50
-40
-3V
0
-2
-4
V
DS
(volts)
-6
-10
-8
-6V
TO-92 (pulsed)
TO-92
P
D
= 1.0W
T
C
= 25
°
C
-8V
-4V
-3V
-8V
T
A
= 125
°
C
-6V
-4V
TC = 25
°
C
I
D
I
D
VGS
= -10V
VGS
= -10V
G
F
I
D
(amperes)
T
C
(
°
C)
P
D
T
A
= 25
°
C
T
A
= -55
°
C
V
DS
= -25V
V
DS
(volts)
I
D
t
p
(seconds)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VP230 3.3-V CAN TRANSCEIVERS
VP2410L P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-240V，夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
VP2450 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-500V,30Ω，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應管)
VP2450 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP2450N3 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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參數(shù)描述
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VP2206N3 功能描述:MOSFET 60V 0.9Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VP2206N3-G 功能描述:MOSFET 60V 0.9Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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